| 型号: | TC1411NCPA |
| 厂商: | Microchip Technology |
| 文件页数: | 1/36页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | IC MOSFET DVR 1A HS 8DIP |
| 标准包装: | 60 |
| 配置: | 低端 |
| 输入类型: | 非反相 |
| 延迟时间: | 30ns |
| 电流 - 峰: | 1A |
| 配置数: | 1 |
| 输出数: | 1 |
| 电源电压: | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
| 供应商设备封装: | 8-PDIP |
| 包装: | 管件 |
| 产品目录页面: | 670 (CN2011-ZH PDF) |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC428CPA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8-DIP |
| TC4426CPA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8-DIP |
| T95Y106M020CZSL | CAP TANT 10UF 20V 20% 2910 |
| T95Y106K025CZSL | CAP TANT 10UF 25V 10% 2910 |
| EMM08DRTN | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC1411NEOA | 功能描述:功率驱动器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1411NEOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1411NEPA | 功能描述:功率驱动器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1411NEUA | 功能描述:功率驱动器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1411NEUA713 | 功能描述:功率驱动器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |