| 型号: | TC1411NEOA |
| 厂商: | Microchip Technology |
| 文件页数: | 1/36页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | IC MOSFET DVR 1A HS 8SOIC |
| 标准包装: | 100 |
| 配置: | 低端 |
| 输入类型: | 非反相 |
| 延迟时间: | 30ns |
| 电流 - 峰: | 1A |
| 配置数: | 1 |
| 输出数: | 1 |
| 电源电压: | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装: | 8-SOICN |
| 包装: | 管件 |
| 产品目录页面: | 670 (CN2011-ZH PDF) |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EEM24DRYI | CONN EDGECARD 48POS DIP .156 SLD |
| EBM12DCSI | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| 1N4937G-T | DIODE FAST REC 1A 600V DO-41 |
| 195D106X0035Z2W | CAP TANT 10UF 35V 20% 2910 |
| TC427EPA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC1411NEOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1411NEPA | 功能描述:功率驱动器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1411NEUA | 功能描述:功率驱动器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1411NEUA713 | 功能描述:功率驱动器IC 1A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1411NVOA | 功能描述:功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |