| 型号: | TC1411NVOA |
| 厂商: | Microchip Technology |
| 文件页数: | 17/36页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | IC MOSFET DVR 1A HS N-INV 8SOIC |
| 标准包装: | 100 |
| 配置: | 低端 |
| 输入类型: | 非反相 |
| 延迟时间: | 30ns |
| 电流 - 峰: | 1A |
| 配置数: | 1 |
| 输出数: | 1 |
| 电源电压: | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度: | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装: | 8-SOICN |
| 包装: | 管件 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CURC301-G | DIODE ULT FAST 3A 50V DO-214AB |
| CW100505-33NJ | INDUCTOR 33NH 0402 SMD |
| GBC15DRTH-S734 | CONN EDGECARD 30POS DIP .100 SLD |
| RNM-1505S/H | CONV DC/DC 1W 15VIN 05VOUT |
| ECE-V1HAR47NR | CAP ALUM 0.47UF 50V 20% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC1411NVOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1411NVPA | 功能描述:功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1411NVUA | 功能描述:功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1411NVUA713 | 功能描述:功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1411VOA | 功能描述:功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |