型号: | TC1411NVPA |
厂商: | Microchip Technology |
文件页数: | 30/36页 |
文件大小: | 0K |
描述: | IC MOSFET DVR 1A HS N-INV 8DIP |
标准包装: | 60 |
配置: | 低端 |
输入类型: | 非反相 |
延迟时间: | 30ns |
电流 - 峰: | 1A |
配置数: | 1 |
输出数: | 1 |
电源电压: | 4.5 V ~ 16 V |
工作温度: | -40°C ~ 125°C |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商设备封装: | 8-PDIP |
包装: | 管件 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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GEM18DSXN | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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TC1411NVUA | 功能描述:功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
TC1411NVUA713 | 功能描述:功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
TC1411VOA | 功能描述:功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
TC1411VOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
TC1411VPA | 功能描述:功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |