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参数资料
| 型号： | TC1412EOA713 |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 6/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 2A HS INV 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
TC1412/TC1412N
Note: Unless otherwise indicated, over operating temperature range with 4.5V ≤ V DD ≤ 16V.
70
60
50
40
30
C LOAD = 1000 pF
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
70
60
50
40
30
C LOAD = 1000 pF
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
20
T A = -40 ° C
20
T A = -40 ° C
10
4
6
8
10
12
14
16
10
4
6
8
10
12
14
16
V DD (V)
V DD (V)
FIGURE 2-7:
Voltage.
Rise Time vs. Supply
FIGURE 2-10:
Voltage.
Fall Time vs. Supply
100
90
80
70
60
50
40
30
C LOAD = 1000 pF
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
T A = -40 ° C
100
90
80
70
60
50
40
30
C LOAD = 1000 pF
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
T A = -40 ° C
20
4
6
8
10
12
14
16
20
4
6
8
10
12
14
16
V DD (V)
V DD (V)
FIGURE 2-8:
Supply Voltage.
Propagation Delay vs.
FIGURE 2-11:
Supply Voltage.
Propagation Delay vs.
60
50
T A = +25 ° C
V DD = 16V
t RISE
39
38
T A = +25 ° C
V DD = 16V
t D2
37
40
t FALL
36
30
35
t D1
20
10
34
33
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
32
0
1000
2000
3000
4000
5000
C LOAD (pF)
C LOAD (pF)
FIGURE 2-9:
Rise and Fall Times vs.
FIGURE 2-12:
Propagation Delays vs.
Capacitive Load.
DS21391C-page 6
Capacitive Load.
? 2003 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GCM10DCAD | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| GEA06DTMT | CONN EDGECARD 12POS R/A .125 SLD |
| GSA06DTKS | CONN EDGECARD 12POS DIP .125 SLD |
| RB-1512D/P | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-12VOUT |
| TC1413NCOA | IC MOSFET DVR 3A HS 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC1412EPA | 功能描述:功率驱动器IC 2A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1412EUA | 功能描述:功率驱动器IC 2A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1412EUA713 | 功能描述:功率驱动器IC 2A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1412N | 制造商:TELCOM 制造商全称:TelCom Semiconductor, Inc 功能描述:2A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS |
| TC1412NCOA | 功能描述:功率驱动器IC 2A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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