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参数资料
| 型号： | TC1413COA713 |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 3A HS INV 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
TC1413/TC1413N
NOTES:
DS21392C-page 14
? 2003 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GCM10DRXN | CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD |
| GCM10DRXH | CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD |
| GBM18DRUS | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
| RB-3.309D/P | CONV DC/DC 1W 3.3VIN +/-09VOUT |
| GCM10DRUN | CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC1413CPA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1413EOA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1413EOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1413EPA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1413EUA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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