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参数资料
| 型号： | TC427MJA |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8CDIP |
| 标准包装： | 56 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 50ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-CDIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-CERDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 670 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TC427MJAR TC427MJAR-ND |
TC426/TC427/TC428
4.0
Note:
TYPICAL CHARACTERISTICS
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
Rise and Fall Times vs.
Rise and Fall Times vs.
Supply Voltage
Delay Times vs. Supply Voltage
Temperature
70
60
C L = 1000 pF
T A = +25°C
90
80
C L = 1000 pF
T A = +25°C
40
35
C L = 1000 pF
V DD = 18V
t R
50
40
70
60
t D2
30
25
t F
30
t R
50
20
20
10
t F
40
30
t D1
15
10
0
0
5
10
15
20
0
5
10 15
20
-25
0
25
50 75 100 125 150
100
SUPPLY VOLTAGE (V)
Delay Times vs. Temperature
80
SUPPLY VOLTAGE (V)
Supply Current vs.
Capacitive Load
1K
TEMPERATURE (°C)
Rise and Fall Times vs.
Capacitive Load
90
C L = 1000 pF
V DD = 18V
t D2
70
T A = +25°C
V DD = 18V
400 kHz
T A = +25°C
V DD = 18V
t R
80
60
50
100
70
40
200 kHz
t F
60
30
10
50
20
40
30
t D1
10
0
20 kHz
1
-25
0
25
50
75
100
125 150
10
100 1000
10K
10
100
1000
10K
30
TEMPERATURE (°C)
Supply Current vs. Frequency
2.20
CAPACITIVE LOAD (pF)
High Output vs. Voltage
1.20
CAPACITIVE LOAD (pF)
Low Output vs. Voltage
T A = +25°C
C L = 1000 pF
V DD = 18V
T A = +25°C
T A = +25°C
V DD = 5V
20
1.76
V DD = 8V
0.96
10V
1.32
0.72
10V
13V
0.88
0.48
10
5V
0.44
18V
0.24
15V
0
1
10 100
1000
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
FREQUENCY (kHz)
DS21415C-page 8
CURRENT SOURCED (mA)
CURRENT SUNK (mA)
? 2006 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC429EPA | IC MOSFET DRIVER 6A HS 8DIP |
| TC4403EPA | IC DRIVER FLOATNG LOAD 1.5A 8DIP |
| TC4405EOA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL 8-SOIC |
| TC4420MJA | IC MOSFET DRIVER 6A HS 8CDIP |
| TC4421AVOA713 | IC MOSFET DRIVER 9A INV 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC427VPAG | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Dual Hi Spd Lead Free Package RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC428 | 制造商:TELCOM 制造商全称:TelCom Semiconductor, Inc 功能描述:1.5A DUAL HIGH-SPEED POWER MOSFET DRIVERS |
| TC428COA | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Dual H-Speed RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC428COA713 | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Dual H-Speed RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC428CPA | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Dual H-Speed RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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