参数资料
型号: TC4422EMF
厂商: Microchip Technology
文件页数: 6/18页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRIVER 9A N-INV 8DFN
标准包装: 60
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 30ns
电流 - 峰: 9A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN-S(6x5)
包装: 管件
TC4421/TC4422
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
220
180
200
180
160
2 MHz
V DD = 18V
160
140
V DD = 18V 47,000 pF
10,000 pF
22,000 pF
140
120
120
100
1.125 MHz
63.2 kHz
100
80
0.1 μF
80
60
40
20
632 kHz
200 kHz
20 kHz
60
40
20
470 pF
4700 pF
0
0
100
1000
10,000
100,000
10
100
1000
C LOAD (pF)
Frequency (kHz)
FIGURE 2-7:
Supply Current vs.
FIGURE 2-10:
Supply Current vs.
Capacitive Load (V DD = 18V).
Frequency (V DD = 18V).
180
160
140
V DD = 12V
180
160
140
V DD = 12V
22,000 pF
10,000 pF
47,000 pF
120
120
100
80
2 MHz
63.2 kHz
100
80
60
1.125 MHz
60
0.1 μF
4700 pF
40
20
632 kHz
200 kHz
20 kHz
40
20
470 pF
0
0
100
1000
10,000
100,000
10
100
1000
C LOAD (pF)
Frequency (kHz)
FIGURE 2-8:
Supply Current vs.
FIGURE 2-11:
Supply Current vs.
Capacitive Load (V DD = 12V).
100
Frequency (V DD = 12V).
120
90
80
70
60
V DD = 6V
200 kHz
100
80
V DD = 6V
4700 pF
47,000 pF
22,000 pF
10,000 pF
50
40
63.2 kHz
60
30
20
10
2 MHz
632 kHz
20 kHz
40
20
0.1 μF
0
0
470 pF
100
1000
10,000
100,000
10
100
1000
C LOAD (pF)
Frequency (kHz)
FIGURE 2-9:
Supply Current vs.
FIGURE 2-12:
Supply Current vs.
Capactive Load (V DD = 6V).
DS21420D-page 6
Frequency (V DD = 6V).
? 2004 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
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T95B156K016CSSS CAP TANT 15UF 16V 10% 1611
DSEI8-06AS DIODE FRED 600V 8A TO-263AB
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参数描述
TC4422EMF713 功能描述:功率驱动器IC 9A Sngl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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TC4422ESM.SM713 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:9A High-Speed MOSFET Drivers