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参数资料
| 型号： | TC4423EOE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC |
| 标准包装： | 47 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 33ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
TC4423/TC4424/TC4425
Typical Performance Curves (Continued)
10-7
8
6
4
2
10-8
8
6
4
2
10-9
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V IN (V)
Note:
The values on this graph represent the loss
seen by both drivers in a package during one
complete cycle. For a single driver, divide the
stated values by 2. For a single transition of a
single driver, divide the stated value by 4.
FIGURE 2-19:
DS21421D-page 8
TC4423 Crossover Energy.
? 2004 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32022A3223M | CAP FILM 0.022UF 1.5KVDC RADIAL |
| B32672L1333J000 | CAP FILM 0.033UF 1.6KVDC RADIAL |
| B32912A3683K | CAP FILM 0.068UF 760VDC RADIAL |
| B32522C105J | CAP FILM 1UF 63VDC RADIAL |
| TC4469EPD | IC MOSFET DVR AND/INV 14DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4423EOE713 | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4423EPA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4423M | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers |
| TC4423MJA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4423VG | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers |
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