参数资料
型号: TC4423VMF
厂商: Microchip Technology
文件页数: 8/18页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN
标准包装: 60
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 33ns
电流 - 峰: 3A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN-S(6x5)
包装: 管件
TC4423/TC4424/TC4425
Typical Performance Curves (Continued)
10-7
8
6
4
2
10-8
8
6
4
2
10-9
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V IN (V)
Note:
The values on this graph represent the loss
seen by both drivers in a package during one
complete cycle. For a single driver, divide the
stated values by 2. For a single transition of a
single driver, divide the stated value by 4.
FIGURE 2-19:
DS21421D-page 8
TC4423 Crossover Energy.
? 2004 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
R1D12-1505/P-R CONV DC/DC 1W 15VIN +/-05VOUT
TC4424VMF IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN
TC4425VMF713 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN
TC4423VMF713 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN
TC4424VMF713 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN
相关代理商/技术参数
参数描述
TC4423VMF713 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4423VOE 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4423VOE713 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4423VPA 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4424 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers