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参数资料
| 型号： | TC4425VMF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 2/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 33ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-S（6x5） |
| 包装： | 管件 |
TC4423/TC4424/TC4425
Functional Block Diagram (1)
Inverting
V DD
750 μA
300 mV
Output
Input
Non-inverting
Effective
Input C = 20 pF
(Each Input)
GND
4.7V
TC4423 Dual Inverting
TC4424 Dual Non-inverting
TC4425 One Inverting, One Non-inverting
Note 1: Unused inputs should be grounded.
DS21421D-page 2
? 2004 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| TC4452VPA | IC MOSFET DVR 12A HS 8DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4425VMF713 | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4425VOE | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4425VOE713 | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4425VPA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4426 | 制造商:TELCOM 制造商全称:TelCom Semiconductor, Inc 功能描述:1.5A DUAL HIGH-SPEED, POWER MOSFET DRIVERS |
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