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参数资料
| 型号： | TC4426CPA |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8-DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 20ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 671 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 158-1109 158-1109-ND |
TC4426/TC4427/TC4428
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25oC with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
10
–8
9
8
7
6
5
4
3
2
10
–9
4
6
8
10 12
14
16
18
V DD
Note:
The values on this graph represent the loss
seen by both drivers in a package during one
complete cycle. For a single driver, divide the
stated values by 2. For a single transition of a
single driver, divide the stated value by 4.
FIGURE 2-19:
Supply Voltage.
DS21422D-page 8
Crossover Energy vs.
? 2006 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95Y106M020CZSL | CAP TANT 10UF 20V 20% 2910 |
| T95Y106K025CZSL | CAP TANT 10UF 25V 10% 2910 |
| EMM08DRTN | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
| HBM10DRUH | CONN EDGECARD 20POS .156 DIP SLD |
| EEM18DSEN-S243 | CONN EDGECARD 36POS .156 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4426CPA | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:FET DRIVER DUAL 1.5A 4426 DIP8 |
| TC4426CUA | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers |
| TC4426CUA713 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers |
| TC4426EMF | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4426EMF713 | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Dual MOSFET Dr Invert E Temp DFN8 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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