参数资料
型号: TC4427EOA713
厂商: Microchip Technology
文件页数: 13/20页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC
标准包装: 3,300
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 20ns
电流 - 峰: 1.5A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
其它名称: TC4427EOA713TR
TC4426/TC4427/TC4428
8-Lead Plastic Micro Small Outline Package (MS) (MSOP)
E
E1
p
D
2
B
n
1
α
c
F
L
φ
A
A1
A2
β
Units
INCHES
MILLIMETERS *
Dimension Limits
MIN
NOM
MAX
MIN
NOM
MAX
Number of Pins
Pitch
n
p
.026 BSC
8
0.65 BSC
8
Overall Height
Molded Package Thickness
Standoff
A
A2
A1
-
.030
.000
-
.033
-
.043
.037
.006
-
0.75
0.00
-
0.85
-
1.10
0.95
0.15
Overall Width
Molded Package Width
Overall Length
E
E1
D
.193 BSC
.118 BSC
.118 BSC
4.90 BSC
3.00 BSC
3.00 BSC
Foot Length
L
.016
.024
.031
0.40
0.60
0.80
Footprint (Reference)
F
.037 REF
0.95 REF
Foot Angle
Lead Thickness
Lead Width
Mold Draft Angle Top
Mold Draft Angle Bottom
φ
c
B
α
β
.003
.009
-
.006
.012
-
-
.009
.016
15°
15°
0.08
0.22
-
-
-
-
-
0.23
0.40
15°
15°
* Controlling Parameter
Notes:
Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed .010" (0.254mm) per side.
BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.
See ASME Y14.5M
REF: Reference Dimension, usually without tolerance, for information purposes only.
See ASME Y14.5M
JEDEC Equivalent: MO-187
Drawing No. C04-111
? 2006 Microchip Technology Inc.
Revised 07-21-05
DS21422D-page 13
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PDF描述
100R28-152B CABLE FLAT FLEX 28POS 1MM 6"
SF20CG-T DIODE SUPERFAST 2A 150V DO-15
CW100505-56NJ INDUCTOR 56NH 0402 SMD
195D476X5010Z8T CAP TANT 47UF 10V 5% 2910
EEV-HB1H4R7R CAP ALUM 4.7UF 50V 20% SMD
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参数描述
TC4427EPA 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Dual MOSFET Dr NonInver Etemp PDIP8 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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TC4427EUA713 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Dual MOSFET Dr NonInver Etemp MSOP8 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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