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参数资料
| 型号： | TC4429COA713 |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 6/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 6A INV 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 55ns |
| 电流 - 峰： | 6A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
TC4420/TC4429
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
50
5
C L = 2200 pF
V DD = 18V
40
100 mA
4
30
20
t FALL
t RISE
10 mA
50 mA
3
10
0
–60
–20
20 60
100
140
2
5
7
9
11
13
15
TA (°C)
Supply Voltage (V)
FIGURE 2-7:
Rise and Fall Times vs.
FIGURE 2-10:
High-State Output
Temperature.
65
60
55
Resistance vs Supply Voltage.
200
Load = 2200 pF
160
50
t D2
120
Input 2.4V
Input 3V
80
45
40
t D1
40
Input 5V
Input 8V and 10V
35
4
6
8
10
12
14
16
18
0
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
Supply Voltage (V)
V DD (V)
FIGURE 2-8:
Supply Voltage.
1000
Propagation Delay Time vs.
FIGURE 2-11:
Propagation Delay.
2.5
Effect of Input Amplitude on
C L = 2200 pF
18V
100
10
10V
5V
2
1.5
100 mA
50 mA
10 mA
0
0
100 1000
10,000
1
5
7
9
11
13
15
Frequency (kHz)
Supply Voltage (V)
FIGURE 2-9:
Supply Current vs.
FIGURE 2-12:
Low-State Output
Frequency.
DS21419C-page 6
Resistance vs. Supply Voltage.
? 2004 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GBM18DRXS | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
| TC1413COA713 | IC MOSFET DVR 3A HS INV 8SOIC |
| GCM10DRXN | CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD |
| GCM10DRXH | CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD |
| GBM18DRUS | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| TC4429CPA | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC MOS DRIVERS DRIVER TYPE:MOSFET |
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| TC4429EAT | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:6A High-Speed MOSFET Drivers |
| TC4429EG | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:6A High-Speed MOSFET Drivers |
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