参数资料
型号: TC4429EOA
厂商: Microchip Technology
文件页数: 6/20页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRIVER 6A INV 8SOIC
标准包装: 100
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 55ns
电流 - 峰: 6A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 管件
TC4420/TC4429
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
50
5
C L = 2200 pF
V DD = 18V
40
100 mA
4
30
20
t FALL
t RISE
10 mA
50 mA
3
10
0
–60
–20
20 60
100
140
2
5
7
9
11
13
15
TA (°C)
Supply Voltage (V)
FIGURE 2-7:
Rise and Fall Times vs.
FIGURE 2-10:
High-State Output
Temperature.
65
60
55
Resistance vs Supply Voltage.
200
Load = 2200 pF
160
50
t D2
120
Input 2.4V
Input 3V
80
45
40
t D1
40
Input 5V
Input 8V and 10V
35
4
6
8
10
12
14
16
18
0
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
Supply Voltage (V)
V DD (V)
FIGURE 2-8:
Supply Voltage.
1000
Propagation Delay Time vs.
FIGURE 2-11:
Propagation Delay.
2.5
Effect of Input Amplitude on
C L = 2200 pF
18V
100
10
10V
5V
2
1.5
100 mA
50 mA
10 mA
0
0
100 1000
10,000
1
5
7
9
11
13
15
Frequency (kHz)
Supply Voltage (V)
FIGURE 2-9:
Supply Current vs.
FIGURE 2-12:
Low-State Output
Frequency.
DS21419C-page 6
Resistance vs. Supply Voltage.
? 2004 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
RB-3.312D/P CONV DC/DC 1W 3.3VIN +/-12VOUT
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