- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17624 > TC4432EPA (Microchip Technology)IC MOSFET DRIVER 30V 1.5A 8-DIP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | TC4432EPA |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 5/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 30V 1.5A 8-DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 62ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 30 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 671 (CN2011-ZH PDF) |
TC4431/TC4432
2.0
Note:
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25oC with 4.5V ≤ V DD ≤ 30V.
60
150
50
V DD = 12V
2 MHz
125
t FALL
C LOAD = 1000 pF
T A = +25 ° C
40
30
900 kHz
100
75
20
10
600 kHz
50
25
t RISE
200 kHz
0
20 kHz
0
100
1000
10,000
3
6
9
12
15 18
21
24
27
30
C LOAD (pF)
V DD (V)
FIGURE 2-1:
Supply Current vs.
FIGURE 2-3:
Rise/Fall Time vs. V DD .
Capacitive Load.
300
50
45
40
35
30
25
250 tD1
200
150
tD2
C LOAD = 1000 pF
T A = +25 ° C
20
15
WITHOUT 1 K RES.
100
50
10
5
WITH 1 K RES.
0
3
6
9
12
15 18
21
24
27
30
0
3
6
9
12 15 18 21 24
27
30
V DD (V)
INPUT VOLTAGE (V IN )
FIGURE 2-2:
Input Current vs. Input
Voltage.
? 2007 Microchip Technology Inc.
FIGURE 2-4:
t D1 and t D2 Delay vs. V DD .
DS21424D-page 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RJR26FP253P | TRIMMER 25K OHM 0.25W TH |
| TC4405EPA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL OD 8-DIP |
| GSC20-15 | PWR SPLY SWITCHING 15V 1.4A |
| UB225SKG036CF-1JB | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
| TC4431EPA | IC MOSFET DRIVER 30V 1.5A 8-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4432VOA | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Sngl 30V MOSFET Drvr N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4432VOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Sngl 30V MOSFET Drvr N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4432VPA | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Sngl 30V MOSFET Drvr N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4451 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:12A High-Speed MOSFET Drivers |
| TC4451VAT | 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。