- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20504 > TC4468EJD (Microchip Technology)IC MOSFET DVR QUAD AND 14CDIP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | TC4468EJD |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 13/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR QUAD AND 14CDIP |
| 标准包装： | 29 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 与 |
| 延迟时间： | 40ns |
| 电流 - 峰： | 1.2A |
| 配置数： | 4 |
| 输出数： | 4 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-CDIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-CERDIP |
| 包装： | 管件 |
TC4467/TC4468/TC4469
14-Lead Plastic Dual In-line (P) – 300 mil (PDIP)
E1
D
2
n
E
1
α
c
A
A2
L
β
A1
B1
eB
Units
INCHES*
B
p
MILLIMETERS
Dimension Limits
MIN
NOM
MAX
MIN
NOM
MAX
Number of Pins
Pitch
n
p
14
.100
14
2.54
Top to Seating Plane A .140 .155 .170
Molded Package Thickness A2 .115 .130 .145
Base to Seating Plane A1 .015
Shoulder to Shoulder Width E .300 .313 .325
Molded Package Width E1 .240 .250 .260
Overall Length D .740 .750 .760
Tip to Seating Plane L .125 .130 .135
3.56 3.94
2.92 3.30
0.38
7.62 7.94
6.10 6.35
18.80 19.05
3.18 3.30
4.32
3.68
8.26
6.60
19.30
3.43
Lead Thickness
c
.008 .012 .015
0.20 0.29
0.38
Upper Lead Width B1 .045 .058 .070
Lower Lead Width B .014 .018 .022
Overall Row Spacing § eB .310 .370 .430
1.14 1.46
0.36 0.46
7.87 9.40
1.78
0.56
10.92
Mold Draft Angle Top
Mold Draft Angle Bottom
α
β
5 10 15
5 10 15
5 10
5 10
15
15
* Controlling Parameter
§ Significant Characteristic
Notes:
Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed
.010” (0.254mm) per side.
JEDEC Equivalent: MS-001
Drawing No. C04-005
? 2002 Microchip Technology Inc.
DS21425B-page 13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC4428MJA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8CDIP |
| IB050Q120T53N1-CB | 1/4 BRICK IBC 36-60VIN 53A EVAL |
| LXC100-1400SW | POWER SUPPLY LED 100W 1400MA |
| VI-230-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W |
| NTST20U100CTG | DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4468EOE | 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4468EOE | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:; LEADED PROCESS COMPATIBLE:YES; PEAK RE 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, LOW-SIDE, SOIC-16 |
| TC4468EOE713 | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
| TC4468EPD | 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4468MJD | 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad AND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。