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参数资料
| 型号： | TC4469EOE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 7/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR AND/INV 16SOIC |
| 标准包装： | 47 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 40ns |
| 电流 - 峰： | 1.2A |
| 配置数： | 4 |
| 输出数： | 4 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
TC4467/TC4468/TC4469
2.0
Note:
60
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (CONTINUED)
(Load on single output only).
60
50
V DD = 18 V
2 MH z
1 MHz
50
V DD = 18 V
2200 pF
1 000 pF
40
30
20
5000 kHz
40
30
20
100 pF
10
200 kHz
10
0
100
1000
20 kHz
10,000
0
10
100
1000
10,000
C LOAD (pF)
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 2-13:
Capacitive Load.
60
V DD = 12 V
50
40
30
20
10
Supply Current vs.
2 MHz
1 MHz
500 kHz
200 kHz
FIGURE 2-16:
Frequency.
60
V DD = 12 V
50
40
30
20
10
Supply Current vs.
2200 pF
1000 pF
100 pF
0
100
1000
20 kHz
10,000
0
10
100
1000
10,000
C LOAD (pF)
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 2-14:
Capacitive Load.
60
V DD = 6 V
50
40
30
20
10
Supply Current vs.
2 MHz
1 MHz
500 kHz
FIGURE 2-17:
Frequency.
60
V DD = 6 V
50
40
30
20
10
Supply Current vs.
2200 pF
1000 pF
0
100
1000
200 kHz
20 kHz
10,000
0
10
100
1000
100 pF
10,000
C LOAD (pF)
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 2-15:
Supply Current vs.
FIGURE 2-18:
Supply Current vs.
Capacitive Load.
? 2002 Microchip Technology Inc.
Frequency.
DS21425B-page 7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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