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参数资料
| 型号： | TC4626COE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR INV 1.5A 16SOIC |
| 标准包装： | 47 |
| 配置： | 高端或低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 671 (CN2011-ZH PDF) |
TC4626/TC4627
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? 2002 Microchip Technology Inc.
DS21426B-page11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 591D337X06W3D2T20H | CAP TANT 330UF 6.3V 20% 2917 |
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| 100R07-127B | CABLE FLAT FLEX 7POS 1MM 5" |
| 591D337X06R3D2T20H | CAP TANT 330UF 6.3V 20% 2917 |
| GBM18DRMN | CONN EDGECARD 36POS .156 WW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| TC4626CPA | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A W/Boost Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4626EOE | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A W/Boost Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4626EOE | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:; LEADED PROCESS COMPATIBLE:YES; PEAK RE 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC, MOSFET DRIVER HIGH/LOW-SIDE, SOIC-16 |
| TC4626EOE713 | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A W/Boost Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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