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参数资料
| 型号： | TC4626EOE713 |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR INV 1.5A 16SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 配置： | 高端或低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
TC4626/TC4627
NOTES:
DS21426B-page12
? 2002 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32023A3473M | CAP FILM 0.047UF 1.5KVDC RADIAL |
| TC4626EPA | IC CMOS DRVR W/BOOST 1.5A 8-DIP |
| TC4627EPA | IC CMOS DRVR W/BOOST 1.5A 8-DIP |
| TC4626EOE | IC MOSFET DVR INV 1.5A 16SOIC |
| TC4424AVOE | IC MOSFET DVR 3A DUAL 16-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4626EPA | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A W/Boost Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4626MJA | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A W/Boost Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4627 | 制造商:TELCOM 制造商全称:TelCom Semiconductor, Inc 功能描述:POWER CMOS DRIVERS WITH VOLTAGE TRIPLER |
| TC4627COE | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A W/Boost N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4627COE713 | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A W/Boost N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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