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参数资料
| 型号： | TD180F08KFB-K |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 350 A, 800 V, SCR |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | TD180F08KFB-K |
TT 180 F, TD 180 F, DT
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM
800 1000 1100 1200
1300
V
Vorwrts-Stospitzenspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
tvj = -40°C...tvj max
VDSM = VDRM
Rückwrts-Stospitzenspannung
non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
VRSM = VRRM
+ 100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
350
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
101
A
tc = 73°C
223
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
6700
A
tvj = tvj max, tp = 10 ms
6000
A
Grenzlastintegral
∫
I2 t-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
∫
I2 t
224000
A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms
180000
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current VD≤67%VDRM, f0=50Hz
(diT/dt)cr
200 A/s
IGM=1A, diG/dt=1A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, VD = 67% VDRM
(dvD/dt)cr
1) 2)
6.Kennbuchstabe/6th letter B
50 50 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter C
500 500 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter L
500 50 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter M
1000 500 V/s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 600 A
vT
max. 1,9
V
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = tvj max
VT(TO)
1,3
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
tvj = tvj max
rT
0,9
m
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
max. 250
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25 °C, vD = 6 V
VGT
max. 2,2
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGD
max. 10
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
max. 0,25
V
Haltestrom
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10
IH
max. 250
mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20
IL
max. 1
A
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s, tg = 10 s
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse
tvj = tvj max
iD, iR
max. 50
mA
currents
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj = 25°C, iGM =1 A, diG/dt =1 A/s
tgd
max. 1,2
s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
siehe techn. Erl./see Techn. Inf.
tq, S:
max. 18
s
E:
max. 20
s
F:
max. 25
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
3
kV
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction
Θ
=180°el. sin: pro Modul/per module RthJC
max. 0,065 °C/W
to case
pro Zweig/per arm
max. 0,13 °C/W
DC: pro Modul/per module
max. 0,062 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,124 °C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
RthCK
max. 0,02 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,04 °C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
-40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AIN
Anzugsdrehmomente
tightening torques
mechanische Befestigung
mounting torque
Toleranz/tolerance +/- 15%
M1
6
Nm
elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
12
Nm
Gewicht
weight
G
typ. 800
g
Kriechstrecke
creepage distance
17
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
5 9,81
m/s
Mabild
outline
8
1) Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit. / Immediately after turn-off time.
Daten der Dioden siehe unter DD 242 S bei V RRM ≤ 1000 V und DD 241 S bei VRRM ≥ 1200 V
For data of the diode refer to DD 242 S at V RRM ≤ 1000 V and DD 241 S at VRRM ≥ 1200 V
TT 180 F, TD 180 F, DT 180 F knnen auch mit gemeinsamer Anode oder gemeiensamer Kathode geliefert werden.
TT 180 F, TD 180 F, DT 180 F can also be supplied with common anode or common cathode.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TD180F12KEL | 350 A, 1200 V, SCR |
| TD180F13KEC | 350 A, 1300 V, SCR |
| TD180F13KEL | 350 A, 1300 V, SCR |
| TD180F08KEC | 350 A, 800 V, SCR |
| TD180F08KEL | 350 A, 800 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TD180F12KEC | 功能描述:分立半导体模块 1200V 285A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| TD180F12KFC | 功能描述:分立半导体模块 1200V 285A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| TD180F12KSC | 功能描述:分立半导体模块 1200V 285A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| TD180F13KFL | 功能描述:SCR模块 Center-Tapped RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| TD180F13KSC | 功能描述:分立半导体模块 1300V 285A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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