参数资料
型号: TD200F08KEM
元件分类: 晶闸管
英文描述: 410 A, 800 V, SCR
文件页数: 5/6页
文件大小: 231K
代理商: TD200F08KEM
TT 200 F
1ms
600
400
200
100
60
40
20
10
6
4
2
1
10kA
6000
2000
1000
600
400
200
100
60
40
20
10
[A]
iT
t [s]
PTT + PT =100kW
Bild / Fig. 13
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaverlust-
leistung (PTT + PT) je Zweig.
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (PTT + PT).
T 290 F3/13
T 408 F3/13
40 W
60 W
100 W
200 W
400 W
600 W
1 kW
2 kW
4 kW
6 kW
10 kW
20 kW
40 kW
60 kW
4
2
8
10
6
2
4
10
8
[A]
TM
i
4
2
103
40 6 0
100
200
400 600
1
2
4
6
1 0
s
m s
tw
W tot =
mWs
1
2
4
10
20
40
60
0,1 Ws
0,2
0,4
0,6
6 Ws
20 Ws
Bidl / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie Wtot für einen sinusfrmigen
Durchla-Strompuls für einen Zweig.
Diagram for the determination of the total energy Wtot for a sinusoidal
on-state current pulse for one arm.
RC-Glied/RC network:
R
[] ≥≥ 0,02 . vDM [V]
C
≤≤
0,22F
Steuergenerator/Pulse generator:
iG = 1 A, ta = 1s
T 280 F4/14
T 408 F4/14
10
20
40 60 100
200
400 600 1
2
4
6
10
mA
A
iG
20
15
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
[V]
vG
0,8
8
T 670 F21/15
a
b
c
Bild / Fig. 15
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei vD = 6V.
Gate characteristic and peak power dissipation at vD = 6V.
Parameter:
a
b
c
___________________________________________________________
Steuerimpulsdauer/Pulse duration tg
[ms]
10
1
0,5
___________________________________________________________
Hchstzulssige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power
[W]
20
40
60
___________________________________________________________
Bild / Fig. 16
Zündverzug/Gate controlled delay time tgd,
DIN 41787, ta = 1 s, tvj = 25°C.
a - auerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
R
C
tp
t
iTM
i T
Lastkreis/load circuit:
vDM
0,67 VDRM
vRM
50 V
dvR/dt ≤ 100 V/s
10
20
40 60 100
200
400 600 1
2
4
6
10
mA
A
iG
100
60
20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
[s]
tgd
a
b
T 195 F17/16
T 290 F17/16
0
200
150
100
50
[As]
Qr
- diT/dt [A/s]
20 A
50 A
100 A
iTM = 1000 A
200
400
600
800
1000
TT 200 F 08...13
Bild / Fig. 17
Sperrverzgerungsladung Qr = f(di/dt)
tvj = tvj max, vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlastrom ITM /
Recovert charge Qr = f(di/dt)
tvj = tvj max, vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: on-state current ITM
200 A
500 A
相关PDF资料
PDF描述
TD200F10KEB 410 A, 1000 V, SCR
TD200F11KEB 410 A, 1100 V, SCR
TD200F12KEB 410 A, 1200 V, SCR
TD200F13KEB 410 A, 1300 V, SCR
TD200F08KEB 410 A, 800 V, SCR
相关代理商/技术参数
参数描述
TD200F10KFC 功能描述:分立半导体模块 1000V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
TD200F10KSC 功能描述:分立半导体模块 1000V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
TD200F12KEC 功能描述:分立半导体模块 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
TD200F12KFC 功能描述:分立半导体模块 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
TD200F12KSC 功能描述:分立半导体模块 1200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: