收藏本站
参数资料
型号： TD71F08KFM-K
元件分类： 晶闸管
英文描述： 180 A, 800 V, SCR
文件页数： 2/6页
文件大小： 239K
代理商： TD71F08KFM-K
TT 71 F, TD 71 F, DT 71 F
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM 800 1000 1100 1200
1300 1400
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
tvj = -40°C...tvj max
VDSM = VDRM
Rückwrts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
VRSM = VRRM
+ 100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
180
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
71
A
tc = 50°C
115
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
2400
A
tvj = tvj max, tp = 10 ms
2100
A
Grenzlastintegral
∫
i2dt-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
∫
i2dt
28800
A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms
22000
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current vD ≤ 67%, VDRM, fo = 50 Hz
(di/dt)cr
160 A/s
IGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, VD = 0,67 VDRM
(dv/dt)cr
1)
2)
6.Kennbuchstabe/6th letter B
50
50 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter C
500
500 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter L
500
50 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter M
1000
500 V/s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 350 A
vT
max. 2,6
V
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = tvj max
VT(TO)
1,3
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
tvj = tvj max
rT
3,1
m
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
max. 150
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25 °C, vD = 6 V
VGT
max. 2
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGD
max. 10
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
max. 0,25
V
Haltestrom
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10
IH
max. 250
mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20
IL
max. 1
A
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/s, tg = 10 s
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD=VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max. 30
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj=25°C, IGM=0,6 A,diG/dt =0,6 A/s
tgd
max. 1,4
s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
tq
S: max. 18
s
E: max. 20
s
F: max. 25
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
3
kV
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction
Θ
=180° el,sinus: pro Modul/per module RthJC
max. 0,15 °C/W
to case
pro Zweig/per arm
max. 0,03 °C/W
DC:
pro Modul/per module
max. 0,142 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,284 °C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
RthCK
max. 0,03 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,06 °C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
-40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AIN
Anzugsdrehmomente für mechanische
Befestigung
mounting torque
Toleranz/tolerance ± 15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
6
Nm
Gewicht
weight
G
typ. 430
g
Kriechstrecke
creepage distance
14
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
5 . 9,81 m/s
Mabild
outline
1
1) Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time
Daten der Dioden siehe unter DD 122 S bei V RRM ≤ 800 V und DD 121 S bei VRRM ≤ 1000 V
For data of the diode refer to DD 122 S at V RRM ≤ 800 V and DD 121 S at VRRM ≤ 1000 V
TT 71 F, TD 71 F, DT 71 F knnen auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
TT 71 F, TD 71 F, DT 71 F can also be supplied with common or common cathode
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
相关PDF资料
PDF描述
TT71F10KFB-A 180 A, 1000 V, SCR
TT71F11KFB-A 180 A, 1100 V, SCR
TT71F12KFB-A 180 A, 1200 V, SCR
TT71F13KFB-A 180 A, 1300 V, SCR
TT71F14KFB-A 180 A, 1400 V, SCR
相关代理商/技术参数
参数描述
TD71F12KEC 功能描述:分立半导体模块 1200V 180A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
TD71F12KFC 功能描述:分立半导体模块 1200V 180A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
TD71F14KFC 功能描述:分立半导体模块 1400V 180A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
TD-72 制造商:CLARE 制造商全称:Clare, Inc. 功能描述:MICROWAVE NOISE TUBES & NOISE SOURCES
TD-72.000MBD-T 功能描述:标准时钟振荡器 72.000MHz 3.3V 25ppm -40C to 85C RoHS:否 制造商:AVX 产品:Standard Clock Oscillators 封装 / 箱体:7 mm x 5 mm 频率:75 MHz 频率稳定性:50 PPM 电源电压:2.5 V 负载电容: 端接类型:SMD/SMT 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 输出格式:LVDS 尺寸: 封装:Reel 系列:
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*