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参数资料
| 型号： | TD81F02KCB-A |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 180 A, 200 V, SCR |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | TD81F02KCB-A |
TT 81 F, TD 81 F, DT 81 F
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM
200 400 600 800
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
tvj = -40°C...tvj max
VDSM = VDRM
Rückwrts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
VRSM = VRRM
+ 100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
180
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
81
A
tc = 62°C
115
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
2500
A
tvj = tvj max, tp = 10 ms
2200
A
Grenzlastintegral
∫
i2dt-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
∫
i2dt
31200
A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms
24200
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current vD ≤ 67%, VDRM, fo = 50 Hz
(di/dt)cr
160 A/s
IGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, VD = 0,67 VDRM
(dv/dt)cr
1)
2)
6.Kennbuchstabe/6th letter B
50
50 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter C
500
500 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter L
500
50 V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter M
1000
500 V/s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 350 A
vT
max. 2,15
V
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = tvj max
VT(TO)
1,25
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
tvj = tvj max
rT
2
m
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
max. 150
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25 °C, vD = 6 V
VGT
max. 2
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGD
max. 10
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
max. 0,2
V
Haltestrom
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10
IH
max. 250
mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20
IL
max. 1
A
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/s, tg = 10 s
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD=VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max. 30
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj=25°C, IGM=0,6 A,diG/dt =0,6 A/s
tgd
max. 1,4
s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
tq
C: max. 12
s
D: max. 15
s
E: max. 20
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
3
kV
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction
Θ
=180° el,sinus: pro Modul/per module RthJC
max. 0,15 °C/W
to case
pro Zweig/per arm
max. 0,03 °C/W
DC:
pro Modul/per module
max. 0,142 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,284 °C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
RthCK
max. 0,03 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,06 °C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
-40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AIN
Anzugsdrehmomente für mechanische
Befestigung
mounting torque
Toleranz/tolerance ± 15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
6
Nm
Gewicht
weight
G
typ. 430
g
Kriechstrecke
creepage distance
14
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
5 . 9,81 m/s
Mabild
outline
1
1) Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time
Daten der Dioden siehe unter DD 122 S bei V RRM ≤ 800 V und DD 121 S bei VRRM ≤ 1000 V
For data of the diode refer to DD 122 S at V RRM ≤ 800 V and DD 121 S at VRRM ≤ 1000 V
TT 81 F, TD 81 F, DT 81 F knnen auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
TT 81 F, TD 81 F, DT 81 F can also be supplied with common or common cathode
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
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