- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录85455 > TFMBJ110C (RECTRON LTD) 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | TFMBJ110C |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | TFMBJ110C |
Mounting Pad Layout
RECTRON
0.083 MIN.
(2.10 MIN.)
0.050 MIN.
(1.27 MIN.)
0.220 REF
0.106 MAX.
(2.69 MAX.)
Dimensions in inches and (millimeters)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TFMBJ15C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| TFMBJ17CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| TFMBJ17C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| TFMBJ20CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| TFMBJ24C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TFMBJ110CA-W | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TFMBJ110C-W | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TFMBJ110-W | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 _ RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TFMBJ11A | 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE) |
| TFMBJ11A-W | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 _ RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。