型号: | TFMBJ5.0C |
厂商: | RECTRON LTD |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 2/5页 |
文件大小: | 35K |
代理商: | TFMBJ5.0C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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TFMBJ6.5C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
TFMBJ60CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
TFMBJ70CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
TFMBJ78C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
TFMBJ9.0CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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TFMBJ51 | 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE) |
TFMBJ51A | 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE) |
TFMBJ51A-W | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
TFMBJ51CA-W | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5% bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
TFMBJ51C-W | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |