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参数资料
| 型号： | TGL41-10 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | TGL41-10 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TGL41-75A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| TGL41-18A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| TH-C1725-R3 | 795 nm, LASER DIODE |
| TH15000EN-1022 | POWER TRANSFORMER, 15000 VA |
| TH15000EN-1031 | POWER TRANSFORMER, 15000 VA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TGL41-10/25 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TGL41-10/26 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TGL41-10/46 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TGL41-10/75 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TGL41-10/76 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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