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参数资料
| 型号： | TGL41-10AC |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | TGL41-10AC |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TGL41-160 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AB |
| TGL41-51 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AB |
| TGL41-100CA | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AB |
| TGL41-16C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AB |
| TGS8704-SCC | 0 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 1.2 dB INSERTION LOSS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TGL41-10A-E3/26 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TGL41-10A-E3/46 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TGL41-10A-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TGL41-10A-E3/75 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TGL41-10A-E3/76 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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