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参数资料
型号： TGL41-82A
厂商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AB
封装： PLASTIC, GL41, 2 PIN
文件页数： 3/4页
文件大小： 35K
代理商： TGL41-82A
TGL41-6.8 thru TGL41-200A
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88403
www.vishay.com
03-May-02
3
Electrical Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)
Breakdown Voltage
Maximum Reverse
Maximum
VBR (V)(1)
Test Current
Stand-off Voltage
Leakage at
Peak Pulse
Clamping Voltage
Temperature
at IT
VWM
VWM ID (
A)
Current IPPM
at IPPM
Coefficient
Device Type
Min
Max
(mA)
(V)
(A)(2)
VC (V)
of VBR (% / °C)
TGL41-47
42.3
51.7
1.0
38.1
5.0
5.9
67.8
0.104
TGL41-47A
44.7
49.4
1.0
40.2
5.0
6.2
64.8
0.104
TGL41-51
45.9
56.1
1.0
41.3
5.0
5.4
73.5
0.105
TGL41-51A
48.5
53.6
1.0
43.6
5.0
5.7
70.1
0.105
TGL41-56
50.4
61.6
1.0
45.4
5.0
80.5
0.106
TGL41-56A
53.2
58.8
1.0
47.8
5.0
5.2
77.0
0.106
TGL41-62
55.8
68.2
1.0
50.2
5.0
4.5
89.0
0.107
TGL41-62A
58.9
65.1
1.0
53.0
5.0
4.7
85.0
0.107
TGL41-68
61.2
74.8
1.0
55.1
5.0
4.1
98.0
0.107
TGL41-68A
64.6
71.4
1.0
58.1
5.0
4.3
92.0
0.107
TGL41-75
67.5
82.5
1.0
60.7
5.0
3.7
108
0.108
TGL41-75A
71.3
78.8
1.0
64.1
5.0
3.9
103
0.108
TGL41-82
73.8
90.2
1.0
66.4
5.0
3.4
118
0.108
TGL41-82A
77.9
86.1
1.0
70.1
5.0
3.5
113
0.108
TGL41-91
81.9
100.0
1.0
73.7
5.0
3.1
131
0.109
TGL41-91A
86.5
95.50
1.0
77.8
5.0
3.2
125
0.109
TGL41-100
90.0
110.0
1.0
81.0
5.0
1.39
144
0.109
TGL41-100A
95.0
105.0
1.0
85.5
5.0
1.46
137
0.109
TGL41-110
99.0
121.0
1.0
89.2
5.0
1.27
158
0.110
TGL41-110A
105.0
116.0
1.0
94.0
5.0
1.32
152
0.110
TGL41-120
108.0
132.0
1.0
97.2
5.0
1.16
173
0.110
TGL41-120A
114.0
126.0
1.0
102.0
5.0
1.21
165
0.110
TGL41-130
117.0
143.0
1.0
105.0
5.0
1.07
187
0.110
TGL41-130A
124.0
137.0
1.0
111.0
5.0
1.12
179
0.110
TGL41-150
135.0
165.0
1.0
121.0
5.0
0.93
215
0.111
TGL41-150A
143.0
158.0
1.0
128.0
5.0
0.97
207
0.111
TGL41-160
144.0
176.0
1.0
130.0
5.0
0.87
230
0.111
TGL41-160A
152.0
168.0
1.0
136.0
5.0
0.91
219
0.111
TGL41-170
153.0
187.0
1.0
138.0
5.0
0.82
244
0.111
TGL41-170A
162.0
179.0
1.0
145.0
5.0
0.85
234
0.111
TGL41-180
162.0
198.0
1.0
146.0
5.0
0.78
258
0.111
TGL41-180A
171.0
189.0
1.0
154.0
5.0
0.81
246
0.111
TGL41-200
180.0
220.0
1.0
162.0
5.0
0.70
287
0.111
TGL41-200A
190.0
210.0
1.0
171.0
5.0
0.73
274
0.111
Notes: (1) V(BR) measured after IT applied for 300
s square wave pulse or equivalent
(2) Surge current waveform per Figure 3 and derate per Fig.2
(3) All terms and symbols are consistent with ANSI/IEEE C62.35
相关PDF资料
PDF描述
TH7023 PLL FREQUENCY SYNTHESIZER
THBT20012D 290 V, SILICON SURGE PROTECTOR
THBT27012D 380 V, SILICON SURGE PROTECTOR
THS4151CDGNRG4 OP-AMP, 8500 uV OFFSET-MAX, PDSO8
THS4500CDG4 OP-AMP, 0 uV OFFSET-MAX, 300 MHz BAND WIDTH, PDSO8
相关代理商/技术参数
参数描述
TGL41-82A/1 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 200W 82V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TGL41-82A/46 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 82V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TGL41-82A/75 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 82V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TGL41-82A/76 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 82V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TGL41-82A/96 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 200W 82V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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