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参数资料
| 型号： | THDT58S1 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | TVS-瞬态抑制二极管 |
| 英文描述： | TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR SLIC PROTECTION |
| 中文描述： | 瞬态电压抑制器保护的用户接口 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | THDT58S1 |
Symbol
I
PP
Parameter
THDT58S1
35
70
80
20
THDT58S
75
150
Unit
A
Peak pulsecurrent (seenote 1)
10/1000
μ
s
8/20
μ
s
2/10
μ
s
t = 20 ms
I
TSM
Non repetitivesurgepeak on-state
current (F= 50Hz)
Criticalrate of rise of off-state
voltage
Storage temperaturerange
Maximum operatingjunctiontemperature
Maximum leadtemperaturefor soldering
during 10s
30
A
dV/dt
67%V
BR
5
kV/
μ
s
T
stg
T
j
T
L
-55 to +150
+150
260
-40to+150
+150
260
°
C
°
C
°
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25
°
C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th
(j-a)
Junctionto ambient
80
°
C/W
THERMAL RESISTANCES
100
50
% I
PP
t
t
r
p
0
t
Note 1 :
Pulse waveform :
10/1000
μ
s
5/310
μ
s
2/10
μ
s
tr=10
μ
s
tr=5
μ
s
tr=2
μ
s
tp=1000
μ
s
tp=310
μ
s
tp=10
μ
s
THDT58S / THDT58S1
2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| THDT58S | TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR SLIC PROTECTION |
| THN3101Z | NPN Planer RF TRANSISTOR |
| TIL300 | PRECISION LINEAR OPTOCOUPLER |
| TIL300A | PRECISION LINEAR OPTOCOUPLER |
| TIP102 | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| THDT6511D | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR SLIC PROTECTION |
| THDT6511D_01 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR SLIC PROTECTION |
| THDT6511DRL | 功能描述:TVS二极管阵列 Dual Overvolt Protec RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| THDT-95001 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:MINIATURE THRESHOLD DETECTOR |
| THD-W2-C | 制造商:Autonics Corporation 功能描述:TEMP/HUMIDITY TRANSDUCER, WALL MOUNT, 200MM SENSINGPLOE 24VDC POWER |
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