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参数资料
| 型号： | THS4271DGNG4 |
| 厂商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分类： | 音频／视频放大 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL, VIDEO PREAMPLIFIER, PDSO8 |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, MSOP-8 |
| 文件页数： | 26/48页 |
| 文件大小： | 1227K |
| 代理商： | THS4271DGNG4 |
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L(nH) + K ln
2
W ) T
) 0.223
W ) T ) 0.5
where:
W = Width of trace in inches.
= Length of the trace in inches
.
T = Thickness of the trace in inches.
K = 5.08 for dimensions in inches, and K = 2 for dimensions
in cm.
R1
R5
J2
Vin+
R6
Vs+
U1
2
3
6
7
4 1
8
J8
Power Down Ref
Vs+
R8
C8
Vs
R4
R7
C7
J9
Power Down
R2
J4
Vout
Vs
R9
R3
J1
Vin
TP1
+
C1
VS
J7
C6
C5
C2
VS+
J5
+
FB2
C4
C3
FB1
VS
GND
VS+
J6
_
+
SLOS397F – JULY 2002 – REVISED OCTOBER 2009
www.ti.com
The peaking in the frequency response is due to the
lead inductance in the feedback path. Each pad and
trace on a PCB has an inductance associated with it,
which in conjunction with the inductance associated
with the package may cause peaking in the frequency
response, causing the device to become unstable.
In order to achieve the maximum performance of the
device, PCB layout is very critical. Texas Instruments
has developed an EVM for the evaluation of the
THS4271 in a gain of 1. The EVM is shown in
Figure 101 through Figure 104. This EVM is designed
to minimize peaking in the unity gain configuration.
Minimizing the inductance in the feedback path is
critical for reducing the peaking of the frequency
response in unity gain. The recommended maximum
inductance allowed in the feedback path is 4 nH. This
can be calculated by using Equation 8.
(8)
space
Figure 95. THS4271/THS4275 EVM
Circuit Configuration
32
Copyright 2002–2009, Texas Instruments Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| THS4271DRBRG4 | 1 CHANNEL, VIDEO PREAMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4271DRBTG4 | 1 CHANNEL, VIDEO PREAMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4271DRG4 | 1 CHANNEL, VIDEO PREAMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4271DGNR | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4271DGN | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| THS4271DGNR | 功能描述:高速运算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| THS4271DGNRG4 | 功能描述:高速运算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| THS4271DR | 功能描述:高速运算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| THS4271DRBR | 功能描述:高速运算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| THS4271DRBRG4 | 功能描述:高速运算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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