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参数资料
| 型号： | TIL111FVM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER TRANS-OUT VDE 6-SMD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 7500Vrms |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 2mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 60mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
1.8
1.6
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
T A = -55 ° C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V CE = 5.0 V
T A = 25?C
Normalized to
I F = 10 mA
T A = 25 ° C
1.2
0.4
1.1
T A = 100 ° C
0.2
0.0
1.0
1
10
100
0
2
4
6 8 10 12 14
I F – FORWARD CURRENT (mA)
16
18
20
I F – LED FORWARD CURRENT (mA)
Figure 3. LED Forward Voltage vs. Forward Current
1.4
1.0
Figure 4. Normalized CTR vs. Forward Current
1.2
I F = 5 mA
0.9
0.8
I F = 20 mA
1.0
0.7
I F = 10 mA
I F = 5 mA
I F = 10 mA
0.6
0.8
0.5
0.4
0.6
0.4
Normalized to:
I F = 10 mA
I F = 20 mA
0.3
0.2
0.1
0.0
V CE = 5.0 V
T A = 25?C
10
100
1000
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
R BE – BASE RESISTANCE (k Ω)
T A – AMBIENT TEMPERATURE (?C)
Figure 5. Normalized CTR vs. Ambient Temperature
1.0
0.9
0.8
100
10
Figure 6. CTR vs. RBE (Unsaturated)
T A = 25?C
0.7
I F = 20 mA
V CE = 0.3 V
1
0.6
I F = 2.5 mA
0.5
0.4
I F = 10 mA
0.1
0.3
0.2
0.1
0.0
I F = 5 mA
0.01
0.001
I F = 5 mA
I F = 10 mA
I F = 20 mA
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
R BE – BASE RESISTANCE (k Ω)
Figure 7. CTR vs. RBE (Saturated)
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
TIL111M, TIL117M, MOC8100M Rev. 1.0.3
6
I C - COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Collector-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MDF7-25S-2.54DSA | CONN RECEPT 25POS SINGLE TIN |
| MDF7-24S-2.54DSA | CONN RECEPT 24POS SINGLE TIN |
| MDF7-23S-2.54DSA | CONN RECEPT 23POS SINGLE TIN |
| MDF7-22S-2.54DSA | CONN RECEPT 22POS SINGLE TIN |
| CLE-188-01-G-DV | CONN RCPT 176PS .8MM DL GOLD SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TIL111M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin DIP Optocplr Transistor Output RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TIL111-M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BULK / 6-PIN DIP, TRANSISTOR OUTPUT |
| TIL111M(TA)-V | 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR |
| TIL111M(TB)-V | 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR |
| TIL111M-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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