参数资料
型号: TIL111SR2VM
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 6/14页
文件大小: 0K
描述: OPTOCOUP TRANS-OUT VDE 6-SMD TR
标准包装: 1,000
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 7500Vrms
输出电压: 30V
电流 - 输出 / 通道: 2mA
电流 - DC 正向(If): 60mA
Vce饱和(最大): 400mV
输出类型: 有基极的晶体管
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD
包装: 带卷 (TR)
Typical Performance Characteristics
1.8
1.6
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
T A = -55 ° C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V CE = 5.0 V
T A = 25?C
Normalized to
I F = 10 mA
T A = 25 ° C
1.2
0.4
1.1
T A = 100 ° C
0.2
0.0
1.0
1
10
100
0
2
4
6 8 10 12 14
I F – FORWARD CURRENT (mA)
16
18
20
I F – LED FORWARD CURRENT (mA)
Figure 3. LED Forward Voltage vs. Forward Current
1.4
1.0
Figure 4. Normalized CTR vs. Forward Current
1.2
I F = 5 mA
0.9
0.8
I F = 20 mA
1.0
0.7
I F = 10 mA
I F = 5 mA
I F = 10 mA
0.6
0.8
0.5
0.4
0.6
0.4
Normalized to:
I F = 10 mA
I F = 20 mA
0.3
0.2
0.1
0.0
V CE = 5.0 V
T A = 25?C
10
100
1000
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
R BE – BASE RESISTANCE (k Ω)
T A – AMBIENT TEMPERATURE (?C)
Figure 5. Normalized CTR vs. Ambient Temperature
1.0
0.9
0.8
100
10
Figure 6. CTR vs. RBE (Unsaturated)
T A = 25?C
0.7
I F = 20 mA
V CE = 0.3 V
1
0.6
I F = 2.5 mA
0.5
0.4
I F = 10 mA
0.1
0.3
0.2
0.1
0.0
I F = 5 mA
0.01
0.001
I F = 5 mA
I F = 10 mA
I F = 20 mA
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
R BE – BASE RESISTANCE (k Ω)
Figure 7. CTR vs. RBE (Saturated)
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
TIL111M, TIL117M, MOC8100M Rev. 1.0.3
6
I C - COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Collector-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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CNY17F3SR2M OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 6-SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
TIL111SR2V-M 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / 6-PIN DIP, TRANSISTOR OUTPUT, SURFACE MOUNT, T&R, VDE
TIL111SVM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler SMD Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
TIL111TM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
TIL111TVM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
TIL111-V 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk