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参数资料
| 型号： | TIL117SR2M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-SMD T/R |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 7500Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 50% @ 10mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - DC 正向(If)： | 60mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Characteristics (Continued)
T A = 25°C unless otherwise specified.
Transfer Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Device
Min
Typ*
Max
Unit
DC Characteristics
CTR CE
Current Transfer Ratio,
Collector to Emitter
I F = 10 mA, V CE = 10 V
I F = 1 mA, V CE = 5 V
TIL117M
MOC8100M
50
50
%
%
I F = 1 mA, V CE = 5 V,
T A = 0°C to +70°C
30
I C(ON)
On-State Collector Current
I F = 16 mA, V CE = 0.4 V
TIL111M
2
mA
(Phototransistor Operation)
On-State Collector Current
I F = 16 mA, V CB = 0.4 V
7
μA
(Photodiode Operation)
V CE (SAT) Collector-Emitter Saturation
Voltage
I C = 500 μA, I F = 10 mA
I C = 2 mA, I F = 16 mA
I C = 100 μA, I F = 1 mA
TIL117M
TIL111M
MOC8100M
0.4
0.4
0.5
V
AC Characteristics
ON
OFF
Turn-On Time
Turn-Off Time
I C = 2 mA, V CC = 10 V,
R L = 100 Ω (Fig. 13)
MOC8100M
TIL117M
MOC8100M
20
10
20
μs
μs
TIL117M
10
t r
t f
Rise Time
Fall Time
MOC8100M
TIL117M
2
2
μs
t r
Rise Time
(Phototransistor Operation)
I C(ON) = 2 mA, V CC = 10 V,
R L = 100 Ω (Fig. 13)
TIL111M
10
μs
t f
Fall Time
(Phototransistor Operation)
Isolation Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Units
V ISO
R ISO
C ISO
Input-Output Isolation Voltage
Isolation Resistance
Isolation Capacitance
f = 60 Hz, t = 1 s
V I-O = 500 V DC
V I-O = 0, f = 1 MHz
7500
10 11
0.2
V AC(PK)
Ω
pF
*All Typical values at T A = 25°C.
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
TIL111M, TIL117M, MOC8100M Rev. 1.0.3
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CNY17F1SR2VM | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS VDE 6-SMD |
| QSE-020-01-F-D-A-K | CONN RCPT HI-SPEED DUAL 40POS |
| 1-87270-0 | CONN HSG LOCK CLIP .156 4OF5POS |
| AXE2A2224 | CONN HEADER 1.0MM H GOLD |
| AXE2A2324 | CONN HEADER 1.5MM H GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TIL117SR2VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler SMT Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TIL117SVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler SMD Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TIL117SV-M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BULK / 6-PIN DIP, TRANSISTOR OUTPUT, SURFACE MOUNT, VDE |
| TIL117TM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TIL117TVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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