参数资料
型号: TINY88-15MZ
厂商: Atmel
文件页数: 95/245页
文件大小: 0K
描述: MCU AVR 8KB FLASH 12MHZ 32-QFN
产品培训模块: MCU Product Line Introduction
tinyAVR Introduction
标准包装: 5,000
系列: AVR® ATtiny
核心处理器: AVR
芯体尺寸: 8-位
速度: 16MHz
连通性: I²C,SPI
外围设备: 欠压检测/复位,POR,WDT
输入/输出数: 28
程序存储器容量: 8KB(8K x 8)
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 大小: 64 x 8
RAM 容量: 512 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 2.7 V ~ 5.5 V
数据转换器: A/D 8x10b
振荡器型: 内部
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: 32-VFQFN 裸露焊盘
包装: 托盘
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9157C–AVR–03/12
Atmel ATtiny88 Automotive
19. Self-Programming the Flash
The device provides a Self-Programming mechanism for downloading and uploading program
code by the MCU itself. The Self-Programming can use any available data interface and associ-
ated protocol to read code and write (program) that code into the Program memory. The SPM
instruction is disabled by default but it can be enabled by programming the SELFPRGEN fuse
(to “0”).
The Program memory is updated in a page by page fashion. Before programming a page with
the data stored in the temporary page buffer, the page must be erased. The temporary page buf-
fer is filled one word at a time using SPM and the buffer can be filled either before the Page
Erase command or between a Page Erase and a Page Write operation:
Alternative 1, fill the buffer before a Page Erase:
Fill temporary page buffer
Perform a Page Erase
Perform a Page Write
Alternative 2, fill the buffer after Page Erase:
Perform a Page Erase
Fill temporary page buffer
Perform a Page Write
If only a part of the page needs to be changed, the rest of the page must be stored (for example
in the temporary page buffer) before the erase, and then be re-written. Alternative 1 provides an
effective Read-Modify-Write feature which allows the user software to first read the page, do the
necessary changes, and then write back the modified data. If alternative 2 is used, it is not pos-
sible to read the old data while loading since the page is already erased. The temporary page
buffer can be accessed in a random sequence. It is essential that the page address used in both
the Page Erase and Page Write operation is addressing the same page.
19.0.1
Performing Page Erase by SPM
To execute Page Erase, set up the address in the Z-pointer, write “00000011” to SPMCSR and
execute SPM within four clock cycles after writing SPMCSR. The data in R1 and R0 is ignored.
The page address must be written to PCPAGE in the Z-register. Other bits in the Z-pointer will
be ignored during this operation.
The CPU is halted during the Page Erase operation.
19.0.2
Filling the Temporary Buffer (Page Loading)
To write an instruction word, set up the address in the Z-pointer and data in R1:R0, write
“00000001” to SPMCSR and execute SPM within four clock cycles after writing SPMCSR. The
content of PCWORD in the Z-register is used to address the data in the temporary buffer. The
temporary buffer will auto-erase after a Page Write operation or by writing the CTPB bit in
SPMCSR. It is also erased after a system reset. Note that it is not possible to write more than
one time to each address without erasing the temporary buffer.
If the EEPROM is written in the middle of an SPM Page Load operation, all data loaded will be
lost.
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