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参数资料
| 型号： | TIP131 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
| 中文描述： | Complemetary硅功率达林顿晶体管（互补硅功率达林顿晶体管） |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | TIP131 |
TIP131/TIP132
TIP135/TIP137
COMPLEMENTARY SILICON POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
I
TIP131, TIP132,TIP135 ANDTIP137 ARE
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
APPLICATION
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The TIP131 and TIP132 are silicon epitaxial-base
NPN power transistors in monolithic Darlington
configuration, mounted in Jedec TO-220 plastic
package. They are intented for use in power
linear and switching applications.
The complementary PNP type for TIP132 is
TIP137 .
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1998
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
TIP131
Unit
NPN
PNP
TIP132
TIP137
100
100
TIP135
60
60
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
case
≤
25
o
C
80
80
5
8
12
0.3
70
2
V
V
V
A
A
A
W
W
o
C
o
C
T
amb
≤
25
o
C
T
stg
T
j
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
* For PNP types voltage and current values are negative.
-65 to 150
150
R
1
Typ. = 5 K
R
2
Typ. =150
1
2
3
TO-220
1/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP137 | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
| TIP33C | Complemetary Silicon Power Transistors(互补硅功率晶体管) |
| TIP34C | Complemetary Silicon Power Transistors(互补硅功率晶体管) |
| TIP606 | 16 Interrupt Generating Digital Inputs |
| TIP606 | PNP DARLINGTON-CONNECTED SILICON POWER TRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TIP131G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| TIP131-S | 功能描述:达林顿晶体管 NPN DARLINGTON 80V 8A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| TIP132 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| TIP132 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
| TIP132G | 功能描述:达林顿晶体管 4A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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