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参数资料
| 型号： | TIP137 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
| 中文描述： | Complemetary硅功率达林顿晶体管（互补硅功率达林顿晶体管） |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | TIP137 |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
1.78
63.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
* Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE
= Half Rated V
CEO
0.5
mA
I
CBO
V
CB
= Half Rated V
CBO
0.2
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
5
mA
I
C
= 30 mA
for
TIP135
for
TIP131
for
TIP132/137
60
80
100
V
V
V
V
CE(sat)
*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 4 A
I
C
= 6 A
I
B
= 16 mA
I
B
= 30 mA
2
4
V
V
V
BE
*
Base-Emitter Voltage
I
C
= 4 A
V
CE
= 4 V
2.5
V
h
FE
*
DC Current Gain
I
C
= 1 A
I
C
= 4 A
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
500
1000
15000
* For PNP types voltage and current values are negative.
Power Derating Curve
Safe OperatingAreas
TIP131/TIP132/TIP135/TIP137
2/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| TIP33C | Complemetary Silicon Power Transistors(互补硅功率晶体管) |
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| TIP606 | 16 Interrupt Generating Digital Inputs |
| TIP606 | PNP DARLINGTON-CONNECTED SILICON POWER TRANSISTORS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TIP137 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
| TIP137G | 功能描述:达林顿晶体管 4A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| TIP137-S | 功能描述:达林顿晶体管 PNP DARLINGTON 100V 8A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| TIP13AG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| TIP140 | 功能描述:达林顿晶体管 RO 511-TIP141 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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