参数资料
型号: TIP32B
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 功率晶体管
英文描述: Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互补型,塑料功率晶体管)
中文描述: 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封装: PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件页数: 3/6页
文件大小: 81K
代理商: TIP32B
TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP)
http://onsemi.com
3
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
100
0
1.0
160
2.0
3.0
60
80
40
140
4.0
TURNON PULSE
APPROX
+11 V
V
in
0
V
EB(off)
t
1
APPROX
+11 V
V
in
t
2
TURNOFF PULSE
t
3
t
1
7.0 ns
100 < t
2
< 500 s
t
3
< 15 ns
DUTY CYCLE
2.0%
APPROX 9.0 V
R
B
and R
C
VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS.
SCOPE
R
C
R
B
V
CC
V
in
C
jd
<< C
eb
4.0 V
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit
0.03
Figure 3. TurnOn Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.02
0.1
3.0
0.07
0.05
1.0
1.0
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
t
r
@ V
CC
= 10 V
0.5
0.3
0.1
0.05
0.3
0.5
t
d
@ V
EB(off)
= 2.0 V
0.03
0.7
2.0
t
r
@ V
CC
= 30 V
20
120
T
C
T
A
0
10
20
30
40
T
C
T
A
P
D
,
t
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PDF描述
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TIP32B-BP 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:Silicon PNP Power Transistors
TIP32BG 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 80V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32-BP 功能描述:两极晶体管 - BJT 3.0A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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