参数资料
| 型号： | TISP1082F3DR |
| 厂商： | Bourns Inc. |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SURGE SUPP -66V UNIDIR 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 击穿： | 82V |
| 电压 - 断路： | 66V |
| 电压 - 导通状态： | 3V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 70A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 35A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 2 |
| 电容： | 0.08pF |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
TISP1xxxF3 Overvoltage Protector Series
Electrical Characteristics for T and G or R and G Terminals, T A = 25 ° C (Unless Otherwise Noted)
I DRM
Parameter
Repetitive peak off-
state current
Test Conditions
V D = V DRM , 0 ° C < T A < 70 ° C
Min
Typ
Max
-10
Unit
μ A
V (BO)
V (BO)
I (BO)
V FRM
Breakover voltage
Impulse breakover
voltage
Breakover current
Peak forward recovery
voltage
dv/dt = -250 V/ms, R SOURCE = 300 ?
dv/dt ≤ -1000 V/ μ s, Linear voltage ramp,
Maximum ramp value = -500 V
R SOURCE = 50 ?
dv/dt = -250 V/ms, R SOURCE = 300 ?
dv/dt ≤ +1000 V/ μ s, Linear voltage ramp,
Maximum ramp value = +500 V
R SOURCE = 50 ?
‘1072F3
‘1082F3
‘1072F3
‘1082F3
‘1072F3
‘1082F3
-0.1
-78
-92
3.3
3.3
-72
-82
-0.6
V
V
A
V
V T
V F
I H
dv/dt
I D
On-state voltage
On-state voltage
Holding current
Critical rate of rise of
off-state voltage
Off-state current
I T = -5 A,t W = 100 μ s
I T = +5 A,t W = 100 μ s
I T = -5 A,d i/dt = +30 mA/ms
Linear voltage ramp, Maximum ramp value < 0.85V DRM
V D = -50 V
f = 1 MHz, V d = 0.1 Vr .m.s.,V D = 0
‘1072F3
‘1082F3
-0.15
-5
150
130
-3
+3
-10
240
240
V
V
A
kV/ μ s
μ A
C off
Off-state capacitance
f = 1 MHz,
V d = 0.1 Vr .m.s.,V D = -5 V
‘1072F3
‘1082F3
65
55
104
104
pF
NOTE
f = 1 MHz, V d = 0.1 Vr .m.s.,V D = -50 V
(see Note 4)
5: Further details on capacitance are given in the Applications Information section.
‘1072F3
‘1082F3
30
25
48
48
Thermal Characteristics
R θ JA
Parameter
Junction to free air thermal resistance
Test Conditions
P tot = 0.8 W, T A = 25 ° C
5 cm 2 , FR4 PCB
Min
Typ
Max
160
Unit
° C/W
SEPTEMBER 1993 - REVISED SEPTEMBER 2008
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TISP3082F3DR | SURGE SUPP 66V BIDIR 8-SOIC |
| TISP3180F3SL | SURGE SUPP 145V BIDIR 3-SL |
| TISP3350H3SL | SURGE SUPP 275V BIDIR 3-SL |
| TISP3380F3DR | SURGE SUPP 270V BIDIR 8-SOIC |
| TISP4070J1BJR | PROTECTOR SINGLE BIDIRECTIONAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TISP1082F3DR-S | 功能描述:硅对称二端开关元件 Protector Fixed Voltage RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP1082F3P | 功能描述:硅对称二端开关元件 Protector Fixed Voltage RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP1082F3PS | 制造商:Bourns Inc 功能描述: |
| TISP1082F3P-S | 功能描述:硅对称二端开关元件 Protector Fixed Voltage RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP1082F3SL | 功能描述:硅对称二端开关元件 Protector Fixed Voltage RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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