参数资料
| 型号： | TISP3072F3DR |
| 厂商： | Bourns Inc. |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SURGE SUPP 58V BIDIR 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 击穿： | 72V |
| 电压 - 断路： | 58V |
| 电压 - 导通状态： | 3V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 70A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 35A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 2 |
| 电容： | 85pF |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
TISP30xxF3 (LV) Overvoltage Protector Series
Typical Characteristics - R and G or T and G Terminals
HOLDING CURRENT & BREAKOVER CURRENT
vs
NORMALIZED BREAKOVER VOLTAGE
vs
1.0
JUNCTION TEMPERATURE
TC3LAH
1.3
RATE OF RISE OF PRINCIPLE CURRENT
TC3LAB
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
I (BO)
1.2
0.4
Positive
0.3
I H
0.2
0.1
1.1
1.0
Negative
-25
0
25
50
75
100
125
150
0·001
0·01
0·1
1
10
100
T J - Junction Temperature - ° C
Figure 6.
di/dt - Rate of Rise of Principle Current - A/ μ s
Figure 7.
100
OFF-STATE CAPACITANCE
vs
TERMINAL VOLTAGE
TC3LAE
500
OFF-STATE CAPACITANCE
vs
JUNCTION TEMPERATURE
TC3LAD
Positive Bias
Negative Bias
100
Terminal Bias = 0
Terminal Bias = 50 V
Terminal Bias = -50 V
10
0·1
1
10
50
10
-25
0
25
50
75
100
125
150
Terminal Voltage - V
Figure 8.
MARCH 1994 - REVISED SEPTEMBER 2008
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
T J - Junction Temperature - ° C
Figure 9.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1-1734709-0 | CONN HEADER R/A 10POS 1MM SMD |
| SSQ-136-03-G-S | CONN RCPT .100" 36POS SNGL GOLD |
| TSW-108-06-G-D | CONN HEADER 16POS .100" DL GOLD |
| TISP3070H3SL | SURGE SUPP 58V BIDIR 3-SL |
| TSW-120-05-T-D | CONN HEADER 40POS .100" DL TIN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TISP3072F3DR-S | 功能描述:硅对称二端开关元件 Low Voltage Dual Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP3072F3D-S | 功能描述:硅对称二端开关元件 Low Voltage Dual Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP3072F3P | 功能描述:硅对称二端开关元件 Low Voltage Dual Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP3072F3PS | 制造商:Bourns Inc 功能描述: |
| TISP3072F3P-S | 功能描述:硅对称二端开关元件 Low Voltage Dual Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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