参数资料
| 型号： | TISP7082F3P |
| 厂商： | Bourns Inc. |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SURGE SUPP 66V BIDIR 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 击穿： | 82V |
| 电压 - 断路： | 66V |
| 电压 - 导通状态： | 5V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 80A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 40A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 3 |
| 电容： | 66pF |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
TISP70xxF3 (LV) Overvoltage Protector Series
Electrical Characteristics for all Terminal Pairs, T A = 25 ° C (Unless Otherwise Noted)
I DRM
Parameter
Repetitive peak off-
state current
Test Conditions
V D = V DRM , 0 ° C < T A < 70 ° C
Min
Typ
Max
± 10
Unit
μ A
V (BO)
Breakover voltage
dv/dt = ± 250 V/ms, R SOURCE = 300 ?
‘7072F3
‘7082F3
± 72
± 82
V
dv/dt ≤ ± 1000 V/ μ s, Linear voltage ramp,
V (BO)
Impulse breakover
voltage
Maximum ramp value = ± 500 V
di/dt = ± 20 A/ μ s, Linear current ramp,
‘7072F3
‘7082F3
± 90
± 100
V
Maximum ramp value = ± 10 A
I (BO)
Breakover current
dv/dt = ±250 V/ms, R SOURCE = 300 ?
±0.1
± 0.8
A
V T
I H
dv/dt
I D
On-state voltage
Holding current
Critical rate of rise of
off-state voltage
Off-state current
I T = ± 5 A, t W = 100 μ s
I T = ± 5 A, di/dt = - /+30 mA/ms
Linear voltage ramp, Maximum ramp value < 0.85V DRM
V D = ± 50 V
V d = 1 V rms, V D = 0
f = 1 MHz,
f = 1 MHz,
V d = 1 V rms, V D = -1 V
V d = 1 V rms, V D = -2 V
f = 1 MHz,
± 0.15
± 5
53
56
51
± 5
± 10
69
73
66
V
A
kV/ μ s
μ A
C off
Off-state capacitance
f = 1 MHz,
f = 1 MHz,
V d = 1 V rms, V D = -5 V
V d = 1 V rms, V D = -50 V
43
25
56
33
pF
f = 1 MHz, V d = 1 V rms, V DTR = 0
(see Note 4)
29
37
NOTE
4: Three-terminal guarded measurement, unmeasured terminal voltage bias is zero. First six capacitance values, with bias V D , are
for the R-G and T-G terminals only. The last capacitance value, with bias V DTR , is for the T-R terminals.
Thermal Characteristics
R θ JA
Parameter
Junction to free air thermal resistance
Test Conditions
P tot = 0.8 W, T A = 25 ° C
5 cm 2 , FR4 PCB
Min
Typ
Max
160
Unit
° C/W
MARCH 1994 - REVISED SEPTEMBER 2008
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TISP7082F3DR | SURGE SUPP 66V BIDIR 8-SOIC |
| TISP7080H3SL | SURGE SUPP 65V BIDIR 3-SL |
| TISP7072F3SL | SURGE SUPP 58V BIDIR 3-SL |
| 3-644867-8 | CONN HEADER 8POS VERT .156 TIN |
| TISP7072F3P | SURGE SUPP 58V BIDIR 8-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TISP7082F3PS | 制造商:Bourns Inc 功能描述: |
| TISP7082F3P-S | 功能描述:硅对称二端开关元件 Low Volt Triple Elmt Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP7082F3SL | 功能描述:硅对称二端开关元件 Low Volt Triple Elmt Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP7082F3SLS | 制造商:Bourns Inc 功能描述: |
| TISP7082F3SL-S | 功能描述:硅对称二端开关元件 Low Volt Triple Elmt Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。