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参数资料
型号： TLE2081AMFK
厂商： TEXAS INSTRUMENTS INC
元件分类： 运算放大器
英文描述： OP-AMP, 8200 uV OFFSET-MAX, 9.4 MHz BAND WIDTH, CQCC20
封装： CERAMIC, LCC-20
文件页数： 63/77页
文件大小： 1569K
代理商： TLE2081AMFK
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status
(1)
Package
Type
Package
Drawing
Pins Package
Qty
Eco Plan
(2)
Lead/Ball Finish
MSL Peak Temp
(3)
TLE2081ACD
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081ACDG4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081ACDR
ACTIVE
SOIC
D
8
2500 Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081ACDRG4
ACTIVE
SOIC
D
8
2500 Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081ACP
ACTIVE
PDIP
P
8
50
Pb-Free
(RoHS)
CU NIPDAU
N / A for Pkg Type
TLE2081ACPE4
ACTIVE
PDIP
P
8
50
Pb-Free
(RoHS)
CU NIPDAU
N / A for Pkg Type
TLE2081AID
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081AIDG4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081AIP
ACTIVE
PDIP
P
8
50
Pb-Free
(RoHS)
CU NIPDAU
N / A for Pkg Type
TLE2081AIPE4
ACTIVE
PDIP
P
8
50
Pb-Free
(RoHS)
CU NIPDAU
N / A for Pkg Type
TLE2081CD
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081CDG4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081CDR
ACTIVE
SOIC
D
8
2500 Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081CDRG4
ACTIVE
SOIC
D
8
2500 Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081CP
ACTIVE
PDIP
P
8
50
Pb-Free
(RoHS)
CU NIPDAU
N / A for Pkg Type
TLE2081CPE4
ACTIVE
PDIP
P
8
50
Pb-Free
(RoHS)
CU NIPDAU
N / A for Pkg Type
TLE2081ID
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081IDG4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081IDR
ACTIVE
SOIC
D
8
2500 Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081IDRG4
ACTIVE
SOIC
D
8
2500 Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2081IP
ACTIVE
PDIP
P
8
50
Pb-Free
(RoHS)
CU NIPDAU
N / A for Pkg Type
TLE2081IPE4
ACTIVE
PDIP
P
8
50
Pb-Free
(RoHS)
CU NIPDAU
N / A for Pkg Type
TLE2082ACD
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2082ACDG4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
TLE2082ACDR
ACTIVE
SOIC
D
8
2500 Green (RoHS &
no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
27-Jan-2010
Addendum-Page 1
相关PDF资料
PDF描述
TLE2081AMJG OP-AMP, 8200 uV OFFSET-MAX, 9.4 MHz BAND WIDTH, CDIP8
TLE2081MFK OP-AMP, 11200 uV OFFSET-MAX, 9.4 MHz BAND WIDTH, CQCC20
TLE2081MJG OP-AMP, 11200 uV OFFSET-MAX, 9.4 MHz BAND WIDTH, CDIP8
TLE2142AMFK DUAL OP-AMP, 1600 uV OFFSET-MAX, 6 MHz BAND WIDTH, CQCC20
TLE2142MFK DUAL OP-AMP, 2000 uV OFFSET-MAX, 6 MHz BAND WIDTH, CQCC20
相关代理商/技术参数
参数描述
TLE2081CD 功能描述:运算放大器 - 运放 High Speed JFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLE2081CDG4 功能描述:运算放大器 - 运放 Hi-Speed JFET-Input Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLE2081CDR 功能描述:运算放大器 - 运放 Hi-Speed JFET-Input Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLE2081CDRG4 功能描述:运算放大器 - 运放 Hi-Speed JFET-Input Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLE2081CP 功能描述:运算放大器 - 运放 High Speed JFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
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