参数资料
型号: TLE2081MJG
厂商: TEXAS INSTRUMENTS INC
元件分类: 运算放大器
英文描述: OP-AMP, 11200 uV OFFSET-MAX, 9.4 MHz BAND WIDTH, CDIP8
封装: CERAMIC, DIP-8
文件页数: 66/77页
文件大小: 1569K
代理商: TLE2081MJG
TAPE AND REEL INFORMATION
*All dimensions are nominal
Device
Package
Type
Package
Drawing
Pins
SPQ
Reel
Diameter
(mm)
Reel
Width
W1 (mm)
A0
(mm)
B0
(mm)
K0
(mm)
P1
(mm)
W
(mm)
Pin1
Quadrant
TLE2081ACDR
SOIC
D
8
2500
330.0
12.4
6.4
5.2
2.1
8.0
12.0
Q1
TLE2081CDR
SOIC
D
8
2500
330.0
12.4
6.4
5.2
2.1
8.0
12.0
Q1
TLE2081IDR
SOIC
D
8
2500
330.0
12.4
6.4
5.2
2.1
8.0
12.0
Q1
TLE2081IDR
SOIC
D
8
2500
330.0
12.4
6.4
5.2
2.1
8.0
12.0
Q1
TLE2082ACDR
SOIC
D
8
2500
330.0
12.4
6.4
5.2
2.1
8.0
12.0
Q1
TLE2082AIDR
SOIC
D
8
2500
330.0
12.4
6.4
5.2
2.1
8.0
12.0
Q1
TLE2082AIDR
SOIC
D
8
2500
330.0
12.4
6.4
5.2
2.1
8.0
12.0
Q1
TLE2082CDR
SOIC
D
8
2500
330.0
12.4
6.4
5.2
2.1
8.0
12.0
Q1
TLE2082IDR
SOIC
D
8
2500
330.0
12.4
6.4
5.2
2.1
8.0
12.0
Q1
TLE2084CDWR
SOIC
DW
16
2000
330.0
16.4
10.75
10.7
2.7
12.0
16.0
Q1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
1-Oct-2010
Pack Materials-Page 1
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PDF描述
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TLE2082ACDG4 功能描述:运算放大器 - 运放 Excalibur High-Speed JFET-Input Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLE2082ACDR 功能描述:运算放大器 - 运放 Excalibur High-Speed JFET-Input Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLE2082ACDRG4 功能描述:运算放大器 - 运放 Excalibur High-Speed JFET-Input Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLE2082ACP 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual High Speed RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel