参数资料
| 型号： | TLV2262AID |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 50/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R 710KHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | LinCMOS™ |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 0.55 V/µs |
| 增益带宽积： | 710kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 300µV |
| 电流 - 电源： | 400µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 8 V，±1.35 V ~ 4 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 871 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 296-7443-5 |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSW-128-02-S-S-RA | CONN RCPT .100" 28POS R/A SGL AU |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TLV2262AIDG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 LiNCMOS R/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV2262AIDR | 功能描述:运算放大器 - 运放 Advanced LinCMOS Rail-To-Rail Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV2262AIDRG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Advanced LinCMOS Rail-To-Rail Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV2262AIP | 功能描述:运算放大器 - 运放 LiNCMOS R/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV2262AIPE4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Advanced LinCMOS Rail-To-Rail Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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