参数资料
型号: TLV341AIDBVRG4
厂商: Texas Instruments
文件页数: 13/36页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP GP R-R 2.3MHZ SOT23-6
标准包装: 3,000
放大器类型: 通用
电路数: 1
输出类型: 满摆幅
转换速率: 1 V/µs
增益带宽积: 2.3MHz
电流 - 输入偏压: 1pA
电压 - 输入偏移: 300µV
电流 - 电源: 75µA
电流 - 输出 / 通道: 115mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 1.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6
供应商设备封装: SOT-23-6
包装: 带卷 (TR)
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
31-Oct-2013
Addendum-Page 2
Orderable Device
Status
(1)
Package Type Package
Drawing
Pins Package
Qty
Eco Plan
(2)
Lead/Ball Finish
(6)
MSL Peak Temp
(3)
Op Temp (°C)
Device Marking
(4/5)
Samples
TLV341IDCKRG4
ACTIVE
SC70
DCK
6
3000
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
Y4E
TLV341IDCKT
ACTIVE
SC70
DCK
6
250
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
Y4E
TLV341IDCKTE4
ACTIVE
SC70
DCK
6
250
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
Y4E
TLV341IDCKTG4
ACTIVE
SC70
DCK
6
250
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
Y4E
TLV341IDRLR
ACTIVE
SOT
DRL
6
4000
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
(Y4A ~ Y4W)
TLV341IDRLRG4
ACTIVE
SOT
DRL
6
4000
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
(Y4A ~ Y4W)
TLV342AID
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342A
TLV342AIDE4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342A
TLV342AIDG4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342A
TLV342AIDR
ACTIVE
SOIC
D
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342A
TLV342AIDRE4
ACTIVE
SOIC
D
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342A
TLV342AIDRG4
ACTIVE
SOIC
D
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342A
TLV342ID
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342
TLV342IDE4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342
TLV342IDG4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342
TLV342IDGKR
ACTIVE
VSSOP
DGK
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
Y6A
TLV342IDGKRG4
ACTIVE
VSSOP
DGK
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
Y6A
TLV342IDR
ACTIVE
SOIC
D
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342
相关PDF资料
PDF描述
GTCA26-231M-P05 GAS TUBE 6MM 230V 20% 5KA AXIAL
GTCA26-101M-P02 GAS TUBE 6MM 100V 20% 2KA AXIAL
170M6366 FUSE 1250A 690V 3EK/91 AR UC
170M5567 FUSE 1100A 690V 2GKN/65 AR UC
MH14-8FLK CONN L/FORK SHRINK 16-14 AWG #8
相关代理商/技术参数
参数描述
TLV341AIDBVT 功能描述:运算放大器 - 运放 Low-Voltage R-To-R Output CMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLV341AIDBVTE4 功能描述:运算放大器 - 运放 Low-Voltage R-To-R Output CMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLV341AIDBVTG4 功能描述:运算放大器 - 运放 Lo Vltg Rail to Rail Output CMOS Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLV341AIDCKR 功能描述:运算放大器 - 运放 Low-Voltage R-To-R Output CMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLV341AIDCKRE4 功能描述:运算放大器 - 运放 Low-Voltage R-To-R Output CMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel