参数资料
| 型号： | TLV342IRUGR |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 25/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP R-R CMOS 2.3MHZ 10QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 1 V/µs |
| 增益带宽积： | 2.3MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 300µV |
| 电流 - 电源： | 75µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 115mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-XFQFN |
| 供应商设备封装： | 10-X2QFN-EP（2x1.5） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 871 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 296-24766-6 |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEC04DFBN-M30 | CONN HEADER 8POS .100 DUAL SMD |
| PBC05DBBN | CONN HEADER .100 DUAL R/A 10POS |
| PEC13DBAN | CONN HEADER .100 DUAL R/A 26POS |
| 0901471225 | C-GRID PCB CONN SR VT GOLD 25POS |
| TLV342SIRUGR | IC OPAMP R-R CMOS 2.3MHZ 10QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TLV342IRUGRG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 LoVltg R-R Output CMOS Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV342S | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIT OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TLV342SIRUGR | 功能描述:运算放大器 - 运放 Lo-Vltg Rail-to-Rail Output CMOS Opl Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV342SIRUGRG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 LoVltg R-R Output CMOS Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV344 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIT OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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