参数资料
| 型号： | TLV342IRUGRG4 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 13/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R 2.3MHZ 10QFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 1 V/µs |
| 增益带宽积： | 2.3MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 300µV |
| 电流 - 电源： | 75µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 115mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-XFQFN |
| 供应商设备封装： | 10-X2QFN-EP（2x1.5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
31-Oct-2013
Addendum-Page 2
Orderable Device
Status
(1)
Package Type Package
Drawing
Pins Package
Qty
Eco Plan
(2)
Lead/Ball Finish
(6)
MSL Peak Temp
(3)
Op Temp (°C)
Device Marking
(4/5)
Samples
TLV341IDCKRG4
ACTIVE
SC70
DCK
6
3000
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
Y4E
TLV341IDCKT
ACTIVE
SC70
DCK
6
250
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
Y4E
TLV341IDCKTE4
ACTIVE
SC70
DCK
6
250
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
Y4E
TLV341IDCKTG4
ACTIVE
SC70
DCK
6
250
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
Y4E
TLV341IDRLR
ACTIVE
SOT
DRL
6
4000
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
(Y4A ~ Y4W)
TLV341IDRLRG4
ACTIVE
SOT
DRL
6
4000
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
(Y4A ~ Y4W)
TLV342AID
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342A
TLV342AIDE4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342A
TLV342AIDG4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342A
TLV342AIDR
ACTIVE
SOIC
D
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342A
TLV342AIDRE4
ACTIVE
SOIC
D
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342A
TLV342AIDRG4
ACTIVE
SOIC
D
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342A
TLV342ID
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342
TLV342IDE4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342
TLV342IDG4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342
TLV342IDGKR
ACTIVE
VSSOP
DGK
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
Y6A
TLV342IDGKRG4
ACTIVE
VSSOP
DGK
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
Y6A
TLV342IDR
ACTIVE
SOIC
D
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY342
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GTCA28-102M-P03 | GAS TUBE 8MM 1000V 20% 3KA AXIAL |
| TLV342IDGKRG4 | IC OPAMP GP R-R 2.3MHZ 8MSOP |
| GTCA26-351M-P05 | GAS TUBE 6MM 350V 20% 5KA AXIAL |
| TLV341AIDCKRG4 | IC OPAMP GP R-R 2.3MHZ SC70-6 |
| TLV341AIDBVRG4 | IC OPAMP GP R-R 2.3MHZ SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TLV342S | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIT OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TLV342SIRUGR | 功能描述:运算放大器 - 运放 Lo-Vltg Rail-to-Rail Output CMOS Opl Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV342SIRUGRG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 LoVltg R-R Output CMOS Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV344 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIT OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TLV344AID | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN |
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