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参数资料
| 型号： | TM893GBK32S-60 |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RAM MODULES |
| 中文描述： | 扩展数据输出动态随机存储器模块 |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | TM893GBK32S-60 |
TM497FBK32, TM497FBK32S 4194304 BY 32-BIT
TM893GBK32, TM893GBK32S 8388608 BY 32-BIT
EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RAMMODULES
SMMS668 – NOVEMBER 1996
4
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
Table 1. TM497FBK32/S Connection Table
DATA BLOCK
RASx
CASx
DQ0–DQ7
RAS0
CAS0
DQ8–DQ15
RAS0
CAS1
DQ16–DQ23
RAS2
CAS2
DQ24–DQ31
RAS2
CAS3
Table 2. TM893GBK32/S Connection Table
DATA BLOCK
RASx
CASx
Side 1
Side 2
DQ0–DQ7
RAS0
RAS1
CAS0
DQ8–DQ15
RAS0
RAS1
CAS1
DQ16–DQ23
RAS2
RAS3
CAS2
DQ24–DQ31
RAS2
RAS3
CAS3
single-in-line memory module and components
PC substrate: 1,27
±
0,1 mm (0.05 inch) nominal thickness; 0.005 inch/inch maximum warpage
Bypass capacitors: Multilayer ceramic
Contact area for TM497FBK32 and TM893GBK32: Nickel plate and gold plate over copper
Contact area for TM497FBK32S and TM893GBK32S: Nickel plate and tin-lead over copper
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| TMM2063AP-12 | 65536 BITS HIGH SPEED AND LOW POWER STATIC RAMDOM ACCESS MEMORY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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