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参数资料
| 型号： | TM893GBK32S-70 |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RAM MODULES |
| 中文描述： | 扩展数据输出动态随机存储器模块 |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | TM893GBK32S-70 |
TM497FBK32, TM497FBK32S 4194304 BY 32-BIT
TM893GBK32, TM893GBK32S 8388608 BY 32-BIT
EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RAMMODULES
SMMS668 – NOVEMBER 1996
3
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PRESENCE DETECT
SIGNAL
(PIN)
PD1
(67)
VSS
VSS
VSS
NC
PD2
(68)
NC
PD3
(69)
NC
PD4
(70)
VSS
NC
80 ns
TM497FBK32/S
70 ns
NC
VSS
NC
60 ns
NC
NC
80 ns
VSS
VSS
VSS
NC
VSS
NC
TM893GBK32/S
70 ns
NC
VSS
NC
60 ns
NC
NC
NC
NC
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
NC
NC
W
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A10
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
VCC
A8
A9
NC
RAS2
NC
NC
BK SINGLE-IN-LINE PACKAGE
(TOP VIEW)
PIN NOMENCLATURE
Address Inputs
CAS0–CAS3
DQ0–DQ31
NC
PD1–PD4
RAS0–RAS3
VCC
VSS
W
A0–A10
Column-Address Strobe
Data In/Data Out
No Connection
Presence Detects
Row-Address Strobe
5-V Supply
Ground
Write Enable
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
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1
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TM893GBK32/S
(SIDE VIEW)
TM497FBK32/S
(SIDE VIEW)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TM893GBK32S-80 | EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RAM MODULES |
| TMD1013-1-431 | MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER |
| TMM2063AP-10 | 65536 BITS HIGH SPEED AND LOW POWER STATIC RAMDOM ACCESS MEMORY |
| TMM2063AP-12 | 65536 BITS HIGH SPEED AND LOW POWER STATIC RAMDOM ACCESS MEMORY |
| TMM2063AP-70 | 65536 BITS HIGH SPEED AND LOW POWER STATIC RAMDOM ACCESS MEMORY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TM893GBK32S-80 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RAM MODULES |
| TM893NBM36A | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY MODULES |
| TM893NBM36H | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY MODULES |
| TM8A226K010CBZCVR | 制造商:Vishay Sprague 功能描述:CAP TANT 22UF 10V 10% 0.1% - Tape and Reel |
| TM8A226K010UBA | 功能描述:钽质电容器-固体SMD 22uF 10volts 10% A case MAP Hi-Rel RoHS:否 制造商:AVX 电容:100 uF 电压额定值:20 V ESR: 容差:10 % 外壳代码 - in:2917 外壳代码 - mm:7343 高度:4.1 mm 制造商库存号:E Case 工作温度范围:- 55 C to + 125 C 系列:TBM 产品:Tantalum Solid Low ESR Commercial Grade 封装:Bulk |
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