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参数资料
| 型号： | TMS29F800B-90BDCDE |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 1048576 BY 8-BIT/ 524288 BY 16-BIT FLASH MEMORIES |
| 中文描述： | 1048576 8位/ 524288由16位闪存 |
| 文件页数： | 19/51页 |
| 文件大小： | 685K |
| 代理商： | TMS29F800B-90BDCDE |
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TMS29F800T, TMS29F800B
1048576 BY 8-BIT/524288 BY 16-BIT
FLASH MEMORIES
SMJS835B – MAY 1997 – REVISED OCTOBER 1997
19
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
hardware-reset bit (RESET) (continued)
Asserting RESET during program or erase can leave erroneous data in the address locations. These locations
need to be updated after the device resumes normal operations. A minimum of 50 ns must be allowed after
RESET goes high before a valid read can take place.
RESET
RY/BY
tRL = 500 ns
20
μ
s max
Figure 1. Device Reset During a Program or Erase Operation
tRL = 500 ns
RESET
RY/BY
0 V
Figure 2. Device Reset During Read Mode
P
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PDF描述 |
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